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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
AMD R748G2606U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
61
左右 43% 更低的延时
需要考虑的原因
AMD R748G2606U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
61
读取速度,GB/s
12.3
15.0
写入速度,GB/s
7.3
8.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
2028
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
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