RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Сравнить
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
3,071.4
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
70
Около -192% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
70
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,372.7
15.1
Скорость записи, Гб/сек
3,071.4
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2601
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston FQ453-80003 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link