RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сравнить
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23.7
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
9.4
23.7
Скорость записи, Гб/сек
5.5
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1453
4124
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Сравнения RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link