RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
54
Около -125% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.3
1,781.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,269.3
12.7
Скорость записи, Гб/сек
1,781.8
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
618
2256
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link