RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
63
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
45
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
13.2
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2841
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link