RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
63
Около -125% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.3
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3317
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Kingston HP698650-154-MCN 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link