RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
63
Около -133% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.3
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2687
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link