RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
63
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.5
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
9.5
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
1949
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link