Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка

Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB

Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 18.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,622.0 13.9

Среднее значение в тестах

Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB

Причины выбрать
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 77

Около -250% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 22
Скорость чтения, Гб/сек

3,405.2 18.1
Скорость записи, Гб/сек

2,622.0 13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

763 3091

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB

Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB

модули RAM

King Tiger Technology Tigo-1600Mhz-8G 8GB

King Tiger Technology Tigo-1600Mhz-8G 8GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB

Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB

Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB

Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Panram International Corporation M424016 4GB

Panram International Corporation M424016 4GB

модули RAM

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Kingston 9905713-017.A00G 4GB

Kingston 9905713-017.A00G 4GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB

Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB

Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB

модули RAM