RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
77
Wokół strony -250% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3091
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link