RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
77
Autour de -250% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3091
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Lenovo 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link