RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
63
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.2
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.8
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
9.2
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2017
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link