STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

-->

Средняя оценка

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Средняя оценка

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

63 71

Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения

3 15.3

Среднее значение в тестах

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

Причины выбрать
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

6.8 1,447.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

63 71
Скорость чтения, Гб/сек

3,231.0 15.3
Скорость записи, Гб/сек

1,447.3 6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

478 1767

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R948G2806U2S 8GB

AMD R948G2806U2S 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB

Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston 9905700-025.A00G 8GB

Kingston 9905700-025.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB

модули RAM

Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB

Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Kingston 9965596-016.B01G 8GB

Kingston 9965596-016.B01G 8GB

модули RAM