RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
63
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.0
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2490
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link