RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
63
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2490
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
UMAX Technology 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link