RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
63
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2490
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link