RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
63
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.3
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
5300
Около 4.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
23400
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2709
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link