RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.3
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3673
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link