RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
46
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
34
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
11.1
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2319
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link