RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
46
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
34
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
11.1
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2319
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link