RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
46
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
35
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2672
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link