RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
46
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
35
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2672
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link