RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
46
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
37
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2676
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link