takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против AMD R7416G2133U2S 16GB

-->

Средняя оценка

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Средняя оценка

AMD R7416G2133U2S 16GB

AMD R7416G2133U2S 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

50 78

Около 36% меньшая задержка
Выше скорость чтения

3 13.5

Среднее значение в тестах

AMD R7416G2133U2S 16GB

Причины выбрать
AMD R7416G2133U2S 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

6.7 1,457.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

AMD R7416G2133U2S 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

50 78
Скорость чтения, Гб/сек

3,757.3 13.5
Скорость записи, Гб/сек

1,457.4 6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

557 1594

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

AMD R7416G2133U2S 16GB

AMD R7416G2133U2S 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

модули RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N

модули RAM

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB

Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB

Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB

Kingston 9905598-039.A00G 16GB

Kingston 9905598-039.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Maxsun MSD48G32Q3 8GB

Maxsun MSD48G32Q3 8GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-6400 1GB

Corsair CM2X1024-6400 1GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB

модули RAM