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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs AMD R7416G2133U2S 16GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
AMD R7416G2133U2S 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
50
78
Autour de 36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
AMD R7416G2133U2S 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.7
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
78
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
6.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
1594
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R7416G2133U2S 16GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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