RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
50
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.1
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
11.6
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2957
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 99P5471-048.A00LF 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link