RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
50
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2957
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link