RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
50
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.9
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
39
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
19.5
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3825
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Jinyu 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link