RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
50
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3825
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link