RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
50
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2742
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link