RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
50
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
18.3
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
17.4
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3731
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link