RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
50
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3731
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link