RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
75
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.3
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
75
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
14.3
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
1548
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GZH 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link