RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
50
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.4
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3169
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link