RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
50
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3169
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link