RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
50
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3169
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
INTENSO 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link