RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
50
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
1,457.4
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
no data
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
, 1.20000005, CAS Supported:
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3043
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link