RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
50
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.8
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
46
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2632
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link