RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
50
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.9
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
1870
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link