takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 15.4
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 50
    Около -100% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    11.9 left arrow 1,457.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 6400
    Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    50 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,757.3 left arrow 15.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,457.4 left arrow 11.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    557 left arrow 1870
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения