RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Pontuação geral
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
50
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
1,457.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,757.3
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,457.4
11.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
557
1870
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link