RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Pontuação geral
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
50
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
1,457.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,757.3
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,457.4
11.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
557
1870
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link