Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB против SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB

-->

Средняя оценка

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Средняя оценка

SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Причины выбрать
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Сообщить об ошибке

SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB

Причины выбрать
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 41

Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18 12.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.2 7.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 35
Скорость чтения, Гб/сек

12.9 18.0
Скорость записи, Гб/сек

7.7 11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2028 3141

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB

модули RAM

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB

Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB

Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB

модули RAM