RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
51
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3087
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link