RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
51
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3087
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link