RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
54
Около -125% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,952.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,586.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,952.2
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
704
2925
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB Сравнения RAM
Corsair VS2GB800D2 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link