RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Comparez
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
54
Autour de -125% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
1,952.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,586.7
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,952.2
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
704
2925
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB Comparaison des RAM
Corsair VS2GB800D2 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link