RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Team Group Inc. UD5-6400 16GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
34
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.9
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.3
15
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR5
DDR4
Задержка в PassMark, нс
21
34
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
20.3
Скорость записи, Гб/сек
13.9
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3774
3343
Team Group Inc. UD5-6400 16GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Jinyu 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link