RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
34
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
15
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
13.9
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3774
3343
Team Group Inc. UD5-6400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link