RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
87
Около -211% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
17.3
Скорость записи, Гб/сек
870.4
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3299
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link