RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
87
Около -314% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
21
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
18.0
Скорость записи, Гб/сек
870.4
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3034
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link