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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
87
左右 -314% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
21
读取速度,GB/s
3,155.6
18.0
写入速度,GB/s
870.4
13.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3034
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
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