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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
36
读取速度,GB/s
11.8
14.9
写入速度,GB/s
7.3
9.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2473
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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