RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
870.4
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
87
Около -118% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.1
3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
40
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
9.1
Скорость записи, Гб/сек
870.4
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2031
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link